Innhold
Samsung har begynt å masseprodusere en terabyte eUFS 2.1-lagring, kunngjorde selskapet i dag. Kunngjøringen kommer etter rykter om at selskapet ville introdusere en Galaxy S10-variant med en terabyte med lagring. Flash-lagring med høy kapasitet bruker samme fysiske plass som den tidligere kunngjorte 512 GB-blitsen som ble funnet i high-end-versjonen av Galaxy Note 9.
Lagringen er basert på Samsungs avanserte V-NAND flashminneteknologi som har forbedret tetthet, lavere strømbehov og generelt raskere hastigheter. Den benytter seg av vertikal stabling av enkelt NAND-celler som, sammenlignet med det horisontale lagdelte arrangementet av vanlig NAND, er mye mer effektivt.
Hva kan brukerne forvente?
Selv om Samsung hevder at eUFS 2.1-basert lagring kan oppnå sekvensielle lesehastigheter så høye som 1000 megabyte per sekund, er det lite sannsynlig at du treffer det tallet i bruk i verden. Tilfeldige hastigheter er det som betyr mer og foreløpige tall utgitt av Samsung avslører at også de har forbedret seg ganske mye.
Spesielt tilfeldige skrivehastigheter bør bidra til å aktivere applikasjoner som kontinuerlig fotografering med høy ramme. Så langt har de fleste telefoner vært begrenset til bare noen få sekunder med videoopptak med høy bildefrekvens. Samsung sier at de høyere lese- og skrivehastighetene på den nye V-NAND-baserte lagringsløsningen på 1 terabyte vil være tilstrekkelig for å muliggjøre kontinuerlig, langvarig videoopptak med 960 bilder per sekund.
Produksjonen for flash-lagring har begynt på Samsungs fabrikk i Pyeongtaek, Korea, og vi regner med å begynne å høre om telefoner som lanseres med lagring med høy kapasitet på MWC. Gitt de forrige spekulasjonene, og Galaxy S10s bekreftede lansering 20. februar, er det en god sjanse for at vi får se lagringen inkludert i en versjon av det håndsettet.
Hva synes du om en terabyte med lagring på en telefon? Bærer du rundt nok medier til å rettferdiggjøre den høye kapasiteten, eller har du omfavnet en sky-første fremtid?
